Физические основы микро- и наноэлектроники : учебно-методическое пособие по практической и самостоятельной работе. - Москва : ТУСУР, 2023. - 34 с. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ТУСУР - Инженерно-технические науки. - СЭБ. - URL: https://e.lanbook.com/book/394265. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/394265.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Настоящее учебно-методическое пособие составлено с учетом требований федерального государственного образовательного стандарта высшего образования (ФГОС ВО). Учебно-методическое пособие содержит методические указания по изучению соответствующих разделов, вопросы для самопроверки. Приведены примеры решения задач по каждому разделу. Пособие содержит необходимые табличные данные для решения задач. Пособие рекомендуется для студентов технических направлений подготовки и специальностей.

Поклонский, Н. А.
Физика полупроводниковых систем. Основные понятия / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, О. Н. Поклонская. - Минск : Белорусская наука, 2023. - 312 с. - Книга находится в премиум-версии IPR SMART. - Текст. - Весь срок охраны авторского права. - электронный. - Электрон. дан. (1 файл). - URL: https://www.iprbookshop.ru/135991.html. - ISBN 978-985-08-3053-1.

Аннотация: Издание содержит основные понятия физики полупроводниковых материалов и элементов приборных структур на их основе. В основе книги — опыт выполнения проектов Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и чтения лекций членом-корреспондентом, профессором Н. А. Поклонским. Кратко формулируются понятия о состояниях и процессах с участием электронов, дырок, фононов и атомных дефектов кристаллической матрицы в полупроводниковых системах различной размерности, а также в дискретных полупроводниковых приборах. Приведен необходимый для понимания терминов (основных понятий) минимум сведений из статистической термодинамики и квантовой механики. Книга предназначена для студентов и аспирантов, а также научных работников, специализирующихся в области физики и техники разноразмерных полупроводниковых систем.

Асеев, А. Л.
Полупроводники и нанотехнологии : учебное пособие / А. Л. Асеев. - Новосибирск : Новосибирский государственный университет, 2023. - 144 с. - Книга находится в премиум-версии IPR SMART. - Текст. - Лицензия до 28.11.2033. - электронный. - Электрон. дан. (1 файл). - URL: https://www.iprbookshop.ru/134582.html. - ISBN 978-5-4437-1360-1.

Аннотация: В пособии приводятся лекции академика А. Л. Асеева в рамках курса современной экспериментальной физики под руководством профессора В. И. Тельнова для магистрантов физического факультета НГУ. Главной целью пособия является изложение базовых знаний и современного состояния физики и технологии полупроводников как основы стремительного развития информационных и телекоммуникационных технологий на рубеже XX и XXI веков, во многом определяющих сегодняшнее развитие науки, общества и цивилизации в целом. Еще более впечатляющие горизонты связаны с интенсивным развитием нанотехнологий и их применением в традиционных и новых областях полупроводниковой электроники, таких как интегральные микросхемы сверхвысокой плотности, терабитная электронная память, нейропроцессоры, спинтроника и квантовые вычислители, интеллектуальные системы управления и энергосбережения, устройства связи и локационные системы, элементы СВЧ- и ТГц-электроники, оптоэлектроника и радиофотоника, экономичные источники освещения на полупроводниковых светодиодах, полупроводниковые лазеры и фотоприемные устройства тепло- и ночного видения. При подготовке данного пособия широко использовались результаты работ автора и его коллег, полученные в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Пособие может быть полезно студентам и выпускникам вузов, научным сотрудникам, преподавателям, сотрудникам высокотехнологических предприятий и всем работающим в этой интереснейшей области науки и технологий.

Сударь, Н. Т.
Эффекты сильного поля в полимерных диэлектриках : учебное пособие / Н. Т. Сударь ; Н. Т. Сударь. - Санкт-Петербург : Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2022. - 153 с. - Книга находится в премиум-версии IPR SMART. - Текст. - Гарантированный срок размещения в ЭБС до 07.03.2028 (автопролонгация). - электронный. - Электрон. дан. (1 файл). - URL: https://www.iprbookshop.ru/128656.html. - Режим доступа: Цифровой образовательный ресурс IPR SMART; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-7422-7820-7.

Аннотация: Учебное пособие соответствует содержанию дисциплин «Материалы органической электроники» и «Физические основы молекулярной электроники» федерального образовательного стандарта высшего образования по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 16.04.01 «Техническая физика». Рассмотрены основные процессы, развивающиеся в полимерах в условиях воздействия на них сильного электрического поля и применимость физических теорий, объясняющих возникновение и закономерности этих процессов. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по магистерским программам.

Экспериментальные и теоретические методы исследования атомной и электронной структуры материалов : учебное пособие / Л. А. Бугаев, Г. Б. Сухарина, Л. А. Авакян [и др.] ; Л. А. Бугаев, Г. Б. Сухарина, Л. А. Авакян [и др.]. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2022. - 104 с. - Книга находится в премиум-версии IPR SMART. - Текст. - Гарантированный срок размещения в ЭБС до 01.01.2025 (автопролонгация). - электронный. - Электрон. дан. (1 файл). - URL: https://www.iprbookshop.ru/131465.html. - ISBN 978-5-9275-4251-2.

Аннотация: Излагаются основы широко применяемых в настоящее время методов исследования структуры неупорядоченных, аморфных и наноматериалов, в том числе с использованием синхротронного излучения. Описаны теоретические основы методов и особенности их применения. Рекомендовано для студентов старших курсов бакалавриата и магистратуры, обучающихся по направлению 03.03.02 и 03.04.02 «Физика» и другим естественно-научным направлениям.

Свешников И. В.
Диэлектрики в экстремальных условиях: электронно-тепловые процессы / И. В. Свешников ; Свешников И. В. - Чита : ЗабГУ, 2021. - 198 с. - Рекомендовано к изданию Советом по научной и инновационной деятельности Забайкальского государственного университета. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ЗабГУ - Инженерно-технические науки. - https://e.lanbook.com/book/271475. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/271475.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-9293-2793-3.

Аннотация: В монографии рассмотрены характеристики различных диэлектрических материалов в экстремальных условиях и в сильных электрических полях широкой температурной области. Объектами исследования стали щелочно-галоидные кристаллы как модельные твёрдые диэлектрики, ферросилиций и образцы природного пирита. Проанализированы электролюминесценция и деградация структуры материалов, термоэлектрические явления, механизмы электроннотепловых процессов в сильных электрических полях в широкой температурной области. Научное издание предназначено для аспирантов и молодых учёных, проводящих исследования механизмов передачи энергии в твёрдых диэлектриках.

Ершов А. В.
Напыление тонких пленок испарением в вакууме : практикум / А. В. Ершов, А. В. Нежданов ; Ершов А. В., Нежданов А. В. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020. - 30 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для бакалавров, обучающихся по следующим направлениям подготовки: 210100 – «Электроника и наноэлектроника», 222900 – «Нанотехнологии и микросистемная техника». - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. - https://e.lanbook.com/book/144919. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/144919.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Издание представляет собой описание лабораторной практикума по базовому курсу «Физико-химические основы технологии микро- и наноструктур». Методический материал включает краткую характеристику методов тонкопленочной технологии, общие особенности оборудования для получения тонких пленок в вакууме, физические аспекты процессов испарения веществ в вакууме, даны указания к выполнению лабораторного практикума. Практикум предназначен для бакалавров физического факультета ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки: 210100 – «Электроника и наноэлектроника», 222900 – «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Морозов В. Г.
Физика низкоразмерных структур : учебное пособие / В. Г. Морозов ; Морозов В. Г. - Москва : РТУ МИРЭА, 2019. - 122 с. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции РТУ МИРЭА - Инженерно-технические науки. - https://e.lanbook.com/book/171471. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/171471.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Учебное пособие предназначено студентам бакалавриата направлений 01.03.04 «Электроника и наноэлектроника» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника», а также магистрам, обучающимся по направлениям 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» и 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника». В учебном пособии рассмотрены фундаментальные квантовые размерные эффекты, используемые в современной наноэлектронике и составляющие физическую основу ее дальнейшего развития. Учебное пособие издается в авторской редакции.

Кузнецов Ю. М.
Применение термомагнитных и гальваномагнитных явлений для исследования транспортных характеристик полупроводниковых пластин : практикум / Ю. М. Кузнецов, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин ; Кузнецов Ю. М., Дорохин М. В., Кудрин А. В. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2019. - 33 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника». - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика. - https://e.lanbook.com/book/144918. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/144918.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Пособие посвящено освоению методики измерения магнитополевых зависимостей напряжения Холла и Нернста-Эттингсгаузена с целью исследования транспортных характеристик полупроводниковых пластин. Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке по курсу «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники».

Павельчук А. В.
Математические и компьютерные модели полевых эффектов воздействия электронного облучения на полярные диэлектрики / А. В. Павельчук ; Павельчук А. В. - Благовещенск : АмГУ, 2019. - 200 с. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции АмГУ - Физика. - https://e.lanbook.com/book/156557. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/156557.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-93493-327-3.

Аннотация: В монографии представлены результаты разработки теоретических основ, си¬стем математического моделирования и специальных программных комплексов, предназначенных для прогнозирования эффектов полевого воздействия электронных пучков на функциональные диэлектрики при диагностике и модификации их свойств в неравновесных условиях электронного облучения, в частности с использованием аналитических методов растровой электронной микроскопии. Особый акцент сделан на разработке и реализации вычислительных схем для моделей реакционно-диффузионно-дрейфовых процессов с запаздыванием и их при¬ложение к исследованию тепловых процессов и эффектов зарядки при воздействии электронного облучения на сегнетоэлектрические материалы. Монография предназначена для специалистов, работающих в области математического и компьютерного моделирования сложных физических систем.

Измерение коэффициента теплопроводности методом стационарного теплового потока : практикум. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2019. - 45 с. - Рекомендовано методической комиссией Физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 03.04.02 «Физика». - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Физика. - https://e.lanbook.com/book/144659. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/144659.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Пособие посвящено описанию методики измерения теплопроводности диэлектрических, металлических и полупроводниковых пластин методом стационарного теплового потока. Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке по курсу «Функциональные материалы».

Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур : учебно-методическое пособие / Г. Д. Кузнецов, Г. К. Сафаралиев, М. Н. Стриханов [и др.] ; Г. Д. Кузнецов, Г. К. Сафаралиев, М. Н. Стриханов [и др.]. - Москва : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2018. - 148 с. - Книга находится в премиум-версии IPR SMART. - Текст. - Лицензия до 12.11.2026. - электронный. - Электрон. дан. (1 файл). - URL: https://www.iprbookshop.ru/116427.html. - Режим доступа: Цифровой образовательный ресурс IPR SMART; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-7262-2422-0.

Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.

Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур : учебно-методическое пособие / Г. Д. Кузнецов, Г. К. Сафаралиев, М. Н. Стриханов [и др.] ; Кузнецов Г. Д., Сафаралиев Г. К., Стриханов М. Н., Каргин Н. И., Харламов Н. А. - Москва : НИЯУ МИФИ, 2018. - 148 с. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки. - https://e.lanbook.com/book/126681. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/126681.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-7262-2422-0.

Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.

Малышев, И. В.
Кинетические эффекты в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей : учебное пособие / И. В. Малышев, Н. В. Паршина ; И. В. Малышев, Н. В. Паршина. - Ростов-на-Дону, Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2018. - 145 с. - Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS. - Текст. - Весь срок охраны авторского права. - электронный. - Электрон. дан. (1 файл). - URL: http://www.iprbookshop.ru/87718.html. - Режим доступа: ЭБС IPR BOOKS; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-9275-3016-8.

Аннотация: В учебном пособии приведен базовый теоретический материал для курсов «Физика полупроводников», «Материалы и элементы электронной техники», «Техническая электродинамика», «Специальные разделы физики», в которых рассматриваются основные кинетические эффекты, проявляющиеся в объёмных полупроводниковых структурах при воздействии сильных электрических и магнитных полей. Пособие предназначено для курсов, читаемых для бакалаврских направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», но может представлять интерес и для других направлений.

Никифоров, С. В.
Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / С. В. Никифоров, В. С. Кортов ; С. В. Никифоров, В. С. Кортов. - Москва : Техносфера, 2017. - 272 с. - Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS. - Текст. - Гарантированный срок размещения в ЭБС до 03.03.2025 (автопролонгация). - электронный. - Электрон. дан. (1 файл). - URL: http://www.iprbookshop.ru/84702.html. - Режим доступа: ЭБС IPR BOOKS; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-94836-490-2.

Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.

Еремин И. Е.
Имитационное моделирование линейных динамических систем / И. Е. Еремин, В. В. Еремина, О. В. Жилиндина ; Еремин И. Е., Еремина В. В., Жилиндина О. В. - Благовещенск : АмГУ, 2017. - 132 с. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции АмГУ - Информатика. - https://e.lanbook.com/book/156493. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/156493.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Пособие предназначено для самостоятельной работы студентов направления подготовки 09.03.01. – Информатика и вычислительная техника, 09.03.03. – Прикладная информатика и 09.04.04. – Программная инженерия изучающих общеобразовательную дисциплину «Моделирование систем» ФГОС ВО. Пособие содержит методические материалы по теории систем, связанные с математическим и имитационным моделированием линейных динамических систем.

Кудрин А. В.
Аномальный эффект Холла : лабораторный практикум по курсу «спинтроника» (описание к лабораторной работе) / А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов ; Кудрин А. В., Данилов Ю. А. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2017. - 16 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника». - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. - https://e.lanbook.com/book/153066. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/153066.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: В работе прорабатывается и закрепляется материал соответствующего раздела курса лекций «Спинтроника»: описаны основы экспериментального метода исследования аномального эффекта Холла и основы методики анализа экспериментальных зависимостей. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

Барабаш Т. К.
Фрактальные закономерности и модельные представления процессов переключения поляризации сегнетоэлектриков при диагностике методами растровой электронной микроскопии / Т. К. Барабаш, А. Г. Масловская ; Барабаш Т. К., Масловская А. Г. - Благовещенск : АмГУ, 2016. - 148 с. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции АмГУ - Физика. - https://e.lanbook.com/book/156556. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/156556.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей. - ISBN 978-5-93493-271-9.

Аннотация: В монографии представлены результаты развития многоаспектного подхода к изучению самоподобной динамики сегнетоэлектрических доменных структур при исследовании методами растровой электронной микроскопии. Представлены оценки скейлинговых характеристик геометрии статических и динамических доменных конфигураций. Проведена диагностика фрактальных размерностей временных зависимостей токов переключения поляризации, индуцированных электронным зондом. Разработана модель, позволяющая описать процесс формирования отклика сегнетоэлектриков в режиме токов электронно-стимулированной поляризации, с учетом фрактального характера динамики доменной структуры. Установлены закономерности изменения формы кривой импульса тока переключения в режиме инжекции при вариации параметров моделирования, соответствующих различным условиям экспериментального наблюдения. Монография предназначена для специалистов, работающих в области сегнетоэлектричества, она может быть полезна исследователям, использующим фрактальные методы для анализа и моделирования сложных физических систем

Эффект Холла : практикум / В. Г. Павельев, С. В. Оболенский, Е. В. Волкова [и др.] ; Павельев В. Г., Оболенский С. В., Волкова Е. В., Савинов Д. А., Тарасова Е. А., Чурин А. Ю. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2015. - 14 с. - Рекомендовано методической комиссией радиофизического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 03.03.03 «Радиофизика», 10.05.02 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем», 02.03.02 «Фундаментальная информатика и информационные технологии», 11.05.02 «Специальные радиоэлектронные системы». - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. - https://e.lanbook.com/book/152993. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/152993.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Предлагаемое описание содержит краткое изложение вопросов движения носителей заряда в скрещенных электрических и магнитных полях. Рассмотрена теория эффекта Холла в полупроводниковых структурах и указана информация, которую можно извлечь из результатов измерений. Приведена методика наблюдения эффекта Холла. Описание предназначено для студентов дневного и вечернего отделений, изучающих курсы «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», «Твердотельная электроника».

Определение параметров полупроводника из температурной зависимости удельного сопротивления и эффекта Холла : практикум. - Нижний Новгород : ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2014. - 17 с. - Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлениям подготовки 210100 - Электроника и наноэлектроника, 222900 - Нанотехнологии и микросистемная техника. - Библиогр.: доступна в карточке книги, на сайте ЭБС Лань. - Книга из коллекции ННГУ им. Н. И. Лобачевского - Инженерно-технические науки. - https://e.lanbook.com/book/153414. - https://e.lanbook.com/img/cover/book/153414.jpg. - Режим доступа: ЭБС "Лань"; для авторизир. пользователей.

Аннотация: Данная работа является частью лабораторного практикума по курсу "Физика полупроводников". В ней изложены основы статистики электронов и дырок, описана методика определения из измерения электропроводности и эффекта Холла основных параметров полупроводника - ширины запрещенной зоны, концентрации и подвижности носителей. Практикум предназначен для студентов старших курсов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлениям 210100 – Электроника и наноэлектроника и 222900 – Нанотехнологии и микросистемная техника.