| Поле | Название | Значение |
| |
Тип записи |
a |
| |
Библиографический уровень |
b |
| 001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/316b5ffa0b2c4265b869d3f35bc9f9fc |
| 005 |
Дата корректировки |
20250627104352.7 |
| 008 |
Кодируемые данные |
250627s2025|||||ru|||||||||||||||||rus|d |
| 040 |
Источник каталогиз. |
__ |
| a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
| b |
Код языка каталог. |
rus |
| 041 |
Код языка издания |
0_ |
| a |
Код языка текста |
rus |
| h |
Код языка оригинала |
rus |
| 084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
| a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.333 |
| 100 |
Автор |
1_ |
| a |
Автор |
Калмыков, Д. А. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 245 |
Заглавие |
10 |
| a |
Заглавие |
Синапс-резистор на основе перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия |
| 336 |
Вид содержания |
__ |
| a |
Термин вида содержания |
Текст |
| 337 |
Средство доступа |
__ |
| a |
Термин типа средства |
непосредственный |
| 504 |
Библиография |
__ |
| a |
Библиография |
Библиогр.: с. 1410-1411 (22 назв.) |
| 520 |
Аннотация |
0_ |
| a |
Аннотация |
Разработан и исследован искусственный синапс (синапс-резистор) для нейроморфных схем, принцип работы которого основан на использовании фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия. Тонкие поликристаллические пленки диоксида ванадия были синтезированы методом ионно-лучевого распыления-осаждения. |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Физика |
| 650 |
Тематические рубрики |
14 |
| a |
Основная рубрика |
Электронные и ионные явления. Физика плазмы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
синапсы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
синапс-резистор |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
фазовые переходы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
полупроводник-металл |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
диоксид ванадия |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
поликристаллические пленки |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
ионно-лучевое распыление |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
осаждение |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
нейроморфные схемы |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
искусственный синапс |
| 653 |
Ключевые слова |
1_ |
| a |
Ключевые слова |
электроны плазмы |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Алиев, В. Ш. |
| u |
Дополнение |
Новосибирский государственный технический университет |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 700 |
Другие авторы |
12 |
| a |
Другие авторы |
Бортников, С. Г. |
| u |
Дополнение |
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН (Новосибирск) |
| 4 |
Код отношения |
070 |
| 773 |
Источник информации |
18 |
| w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/bcf21c998a524246a1ee405d7f845658 |
| t |
Название источника |
Журнал технической физики |
| d |
Место и дата издания |
2025 |
| g |
Прочая информация |
№ 7. - С. 1404-1411 |
| x |
ISSN |
0044-4642 |
| 856 |
Электронный адрес документа |
40 |
| u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/60663 |
| 901 |
Тип документа |
__ |
| t |
Тип документа |
b |
| 911 |
Журнальная рубрика |
__ |
| a |
Журнальная рубрика |
Твердотельная электроника |