Представление документа в формате MARC21

Поле	Название	Значение
	Тип записи	a
	Библиографический уровень	b
001	Контрольный номер	ULGU/FULLTEXT/67038be7e8b54301bd0e86cd8551e65d
005	Дата корректировки	20240617115045.7
008	Кодируемые данные	240617s2024||||ru |||||||||||||||||rus|d
040	Источник каталогиз.	__
a	Служба первич. каталог.	НБ УлГУ
b	Код языка каталог.	rus
041	Код языка издания	0_
a	Код языка текста	rus
h	Код языка оригинала	rus
084	Индекс другой классификации/Индекс ББК	__
a	Индекс другой классификации/Индекс ББК	22.37
100	Автор	1_
a	Автор	Бессолов, В. Н.
u	Дополнение	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
4	Код отношения	070
245	Заглавие	10
a	Заглавие	Газофазная эпитаксия слоев AlN на наноструктурированном темплейте AlN/Si(100), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления
336	Вид содержания	__
a	Термин вида содержания	Текст
337	Средство доступа	__
a	Термин типа средства	непосредственный
504	Библиография	__
a	Библиография	Библиогр.: с. 947 (18 назв.)
520	Аннотация	0_
a	Аннотация	Методами атомно-силовой микроскопии и комбинационного рассеяния света изучены слои AlN, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформированы симметричная V-образная наноструктура с размером элементов < 100 nm (подложка NP-Si(100)) и буферный слой AlN, полученный методом реактивного магнетронного напыления.
650	Тематические рубрики	14
a	Основная рубрика	Физика
650	Тематические рубрики	14
a	Основная рубрика	Физика твердого тела. Кристаллография в целом
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	реактивное магнетронное распыление
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	нитрид алюминия
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	AlN
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	темплейты
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	AlN/Si(100)
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	газофазная эпитаксия
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	атомно-силовая микроскопия
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	комбинационное рассеяние света
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	металлoорганические соединения
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	подложки кремния
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	наноструктуры
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	NP-Si(100)
653	Ключевые слова	1_
a	Ключевые слова	буферные слои
700	Другие авторы	12
a	Другие авторы	Компан, М. Е.
u	Дополнение	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
4	Код отношения	070
700	Другие авторы	12
a	Другие авторы	Коненкова, Е. В.
u	Дополнение	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
4	Код отношения	070
700	Другие авторы	12
a	Другие авторы	Орлова, Т. А.
u	Дополнение	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
4	Код отношения	070
700	Другие авторы	12
a	Другие авторы	Родин, С. Н.
u	Дополнение	Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)
4	Код отношения	070
700	Другие авторы	12
a	Другие авторы	Соломникова, А. В.
u	Дополнение	Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
4	Код отношения	070
773	Источник информации	18
w	Контрольный № источника	ULGU/FULLTEXT/220c021dc3324815b68a628cda8c1f5e
t	Название источника	Журнал технической физики
d	Место и дата издания	2024
g	Прочая информация	№ 6. - С. 944-947
x	ISSN	0044-4642
856	Электронный адрес документа	40
u	URL	https://journals.ioffe.ru/articles/58135
901	Тип документа	__
t	Тип документа	b
911	Журнальная рубрика	__
a	Журнальная рубрика	Физическая электроника