| Найдено документов - 1 | Источник: Накопление и релаксация зарядов в приборных структурах Al/Si[3]N[4]/SiO[2]/n-Si в активном режиме / Н. И. Горбачук, Е. А. Ермакова, Н. А. Поклонский, С. В. Шпаковский. - Текст : непосредственный... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
| Журнал технической физики. № 11. - Москва, 2025. - https://journals.ioffe.ru/issues/2588. | |
| Поиск: | Статьи из номера журнала (сборника) Источник |
| Ссылка на ресурс: | https://journals.ioffe.ru/issues/2588 |