Поле | Название | Значение |
|
Тип записи |
a |
|
Библиографический уровень |
b |
001 |
Контрольный номер |
ULGU/FULLTEXT/0d9ad0c822a449dea8a23bf363440739 |
005 |
Дата корректировки |
20250411121753.1 |
008 |
Кодируемые данные |
250411s2025||||ru||||||||||||||||||rus|d |
040 |
Источник каталогиз. |
__ |
a |
Служба первич. каталог. |
НБ УлГУ |
b |
Код языка каталог. |
rus |
041 |
Код языка издания |
0_ |
a |
Код языка текста |
rus |
h |
Код языка оригинала |
rus |
084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
100 |
Автор |
1_ |
a |
Автор |
Писаренко, Т. А. |
u |
Дополнение |
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток) |
4 |
Код отношения |
070 |
245 |
Заглавие |
10 |
a |
Заглавие |
Латеральный фотовольтаический эффект в структуре Fe[3]O[4]/SiO[2]/n-Si |
b |
Продолж. заглавия |
влияние толщины слоя SiO[2] |
336 |
Вид содержания |
__ |
a |
Термин вида содержания |
Текст |
337 |
Средство доступа |
__ |
a |
Термин типа средства |
непосредственный |
504 |
Библиография |
__ |
a |
Библиография |
Библиогр.: с. 786 (42 назв.) |
520 |
Аннотация |
0_ |
a |
Аннотация |
Представлено исследование латерального фотовольтаического эффекта в структуре Fe[3]O[4]/SiO[2]/n-Si с толщиной слоя оксида кремния 2 и 5 nm. Показано, что увеличение толщины слоя SiO[2] в исследуемой структуре приводит к изменению вида зависимостей чувствительности и нелинейности латерального фотонапряжения от толщины пленки Fe[3]O[4], а также формы сигналов фотоотклика при импульсном освещении. |
650 |
Тематические рубрики |
14 |
a |
Основная рубрика |
Физика |
650 |
Тематические рубрики |
14 |
a |
Основная рубрика |
Физика твердого тела. Кристаллография в целом |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
оптоэлектронные устройства |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
фотовольтаический эффект |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
Fe[3]O[4]/SiO[2]/n-Si |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
SiO[2] |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
Fe[3]O[4] |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
фотонапряжение |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
толщина пленок |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
фотоотклик |
653 |
Ключевые слова |
1_ |
a |
Ключевые слова |
импульсное освещение |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Цуканов, Д. А. |
u |
Дополнение |
Дальневосточный федеральный университет (Владивосток) |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Балашев, В. В. |
u |
Дополнение |
Дальневосточный федеральный университет (Владивосток) |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
12 |
a |
Другие авторы |
Яковлев, А. А. |
u |
Дополнение |
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН (Владивосток) |
4 |
Код отношения |
070 |
773 |
Источник информации |
18 |
w |
Контрольный № источника |
ULGU/FULLTEXT/72d5a84859914b379f7484d88f39160d |
t |
Название источника |
Журнал технической физики |
d |
Место и дата издания |
2025 |
g |
Прочая информация |
№ 4. - С. 779-786 |
x |
ISSN |
0044-4642 |
856 |
Электронный адрес документа |
40 |
u |
URL |
https://journals.ioffe.ru/articles/60013 |
901 |
Тип документа |
__ |
t |
Тип документа |
b |
911 |
Журнальная рубрика |
__ |
a |
Журнальная рубрика |
Физическое материаловедение |