Поле | Название | Значение |
|
Тип записи |
a |
|
Библиографический уровень |
m |
001 |
Контрольный номер |
RU/IPR SMART/131695 |
005 |
Дата корректировки |
20231012113729.9 |
008 |
Кодируемые данные |
231011s2021 RU y f j 000 1 rus u |
020 |
Индекс ISBN |
__ |
a |
ISBN |
978-5-8064-3172-2 |
040 |
Источник каталогиз. |
__ |
c |
Служба, преобразующая запись |
IPR SMART |
041 |
Код языка издания |
__ |
a |
Код языка текста |
rus |
044 |
Код страны публикации |
__ |
a |
Код страны публикации |
RU |
080 |
Индекс УДК |
__ |
a |
Индекс УДК |
538.9 |
084 |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
__ |
2 |
Источник индекса |
rubbk |
a |
Индекс другой классификации/Индекс ББК |
22.37 |
245 |
Заглавие |
__ |
a |
Заглавие |
Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в тонких пленках висмута и сплавов висмут-сурьма |
b |
Продолж. заглавия |
монография |
c |
Ответственность |
В. М. Грабов, Е. В. Демидов, В. А. Комаров [и др.] |
250 |
Сведения об издании |
__ |
g |
|
2026-07-17 |
256 |
Характеристики компьютерного файла |
__ |
a |
Характеристики компьютерного файла |
Электрон. дан. (1 файл) |
260 |
Выходные данные |
__ |
a |
Место издания |
Санкт-Петербург |
b |
Издательство |
Издательство РГПУ им. А. И. Герцена |
c |
Дата издания |
2021 |
300 |
Физическое описание |
__ |
a |
Объем |
196 с. |
500 |
Примечания |
__ |
a |
Примечание |
Книга находится в премиум-версии IPR SMART. |
516 |
Прим. о типе комп. файла/ данных |
__ |
a |
Прим. о типе комп. файла/ данных |
Текст |
520 |
Аннотация |
__ |
a |
Аннотация |
Монография написана с учетом последних достижений физики полуметаллов и низкоразмерных структур на их основе, вклада научной школы и лаборатории физики полуметаллов РГПУ им. А. И. Герцена в формирование и развитие науки о полуметаллах и узкозонных полупроводниках на основе висмута и твердых растворов системы висмут-сурьма и низкоразмерных структур на их основе. Для тонких пленок висмута и твердых растворов висмут-сурьма рассмотрены закономерности процессов кристаллизации, электрических, гальваномагнитных, термоэлектрических, магнитотермоэлектрических явлений, классических и квантовых размерных явлений, механизмы влияния деформации в системе пленка-подложка на явления переноса, обсуждаются причины роста концентраций носителей заряда в пленках при уменьшении их толщины. Монография предназначена для специалистов-исследователей в области физики конденсированного состояния, для студентов магистратуры по физике конденсированного состояния, аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в области физики полуметаллов и узкозонных полупроводников, физики явлений переноса, размерных явлений и наноструктур. |
521 |
Примеч. о цел. назн. |
__ |
a |
Примеч. о целев. назн. |
Гарантированный срок размещения в ЭБС до 17.07.2026 (автопролонгация) |
538 |
Прим. о системных особенностях |
__ |
a |
Прим. о системных особенностях |
электронный |
583 |
Примечание о действиях |
__ |
u |
Унифиц. идентификатор ресурса |
URL: https://www.iprbookshop.ru/131695.html |
653 |
Ключевые слова |
__ |
a |
Ключевые слова |
термоэлектрические явления |
653 |
Ключевые слова |
__ |
a |
Ключевые слова |
гальваномагнитные явления |
653 |
Ключевые слова |
__ |
a |
Ключевые слова |
системы висмут-сурьма |
653 |
Ключевые слова |
__ |
a |
Ключевые слова |
пленки висмута |
700 |
Другие авторы |
__ |
a |
Другие авторы |
Грабов, В. М. |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
__ |
a |
Другие авторы |
Демидов, Е. В. |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
__ |
a |
Другие авторы |
Комаров, В. А. |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
__ |
a |
Другие авторы |
Крушельницкий, А. Н. |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
__ |
a |
Другие авторы |
Суслов, А. В. |
4 |
Код отношения |
070 |
700 |
Другие авторы |
__ |
a |
Другие авторы |
Герега, В. А. |
4 |
Код отношения |
070 |
856 |
Электронный адрес документа |
4_ |
u |
URL |
https://www.iprbookshop.ru/131695.html |
z |
Примечание для пользователя |
Перейти к просмотру издания |
911 |
Журнальная рубрика |
__ |
u |
|
106a=s |
911 |
Журнальная рубрика |
__ |
u |
|
503a=Доступна эл. версия. IPR SMART |