| Найдено документов - 1 | Источник: Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al[2]O[3]/ZrO[2](Y) / А. В. Круглов, Д. А. Серов, А. И. Белов [и др.]. - Текст : непосредственный // Журнал... | Версия для печати |
Сортировать по:
1. Номер журнала
Журнал технической физики. № 11. - Москва, 2024. - URL: https://journals.ioffe.ru/issues/2461.
Ссылка на ресурс: https://journals.ioffe.ru/issues/2461